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Navitas×NVIDIA：24 kW 单级 800 V→12 V AI 机柜供电板，目标砍掉 50 V IBC
10-12 通稿：16×NV6034 GaN stacked half-bridge，400×60 mm，目标满载 97%、密度 >2000 W/in³，贴 xPU 直供 12 V VRM。
发生了什么
Navitas 于 2026-10-12 宣布与 NVIDIA 协作的 24 kW、800 VDC→12 VDC 单级 DC-DC 供电板（PDB），面向 MGX / 800 VDC AI 机柜，计划在 OCP Global Summit 2026 的 NVIDIA AI Factory MGX Wall 展区展示。
关键数据或原话
规格口径（Nasdaq/GlobeNewswire 与多家转载一致）：24 kW；目标满载效率 97%；功率密度 >2000 W/in³；外形 400 mm×60 mm；16 颗 NV6034（650 V、18 mΩ）GaNFast FET 组成 stacked half-bridge，双面散热 DFN 8×8；宣称取消既有 50 V→12 V IBC，12 V 直送 VRM。
与我的工作有什么关系
做 AI 机柜/板卡电源选型时，这是可核对的单级 800→12 拓扑与器件组合；是否还要保留 50 V IBC，可据此对照损耗、布局与散热预算。
证据与限制
公开材料为厂商通稿与展会计划，未见完整原理图/BOM/实测波形；效率与密度为「目标」表述，未独立复测；评估板获取需联系厂商。
建议
向 Navitas 索取评估板或 OCP 展台实测曲线后再定架构；同步核对 NVIDIA 最新 400×60 mm 机械规范与散热边界。
来源
- Nasdaq 通稿 · 2026-10-12
- Semiconductor Today · 2026-10-13
- Electronics Media · 2026-10-13